碳納米管薄膜晶體管中的接觸電阻效應(yīng)

編號：CPJS05330

篇名：碳納米管薄膜晶體管中的接觸電阻效應(yīng)

作者：夏繼業(yè)[1] ;董國棟[1] ;田博元[1] ;嚴(yán)秋平[1] ;韓杰[2] ;邱松[2] ;李清文[2] ;梁學(xué)磊[1] ;彭練矛[1]

關(guān)鍵詞：碳納米管 薄膜晶體管 接觸電阻 歐姆接觸 肖特基勢壘

機構(gòu)： [1]北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院納米器件與物理化學(xué)教育部重點實驗室,北京100871; [2]中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所,江蘇蘇州215123

摘要： 利用不同功函數(shù)的金屬作為接觸電極,研究了網(wǎng)絡(luò)狀碳納米管薄膜晶體管（CNT-TFT）的接觸電阻效應(yīng)。研究表明金屬Pd與碳納米管薄膜形成良好的歐姆接觸,Au則形成近歐姆接觸,這兩種接觸的器件的開態(tài)電流和遷移率較高。Ti和Al都與碳納米管薄膜形成肖特基接觸,且Al接觸比Ti接觸的勢壘更高,接觸電阻也更大,相應(yīng)器件的開態(tài)電流和遷移率都較低。該結(jié)果表明對于CNT-TFT仍然可以通過接觸來調(diào)控器件的性能,這對CNT-TFT的實用化進程具有重要的促進作用。