陽極氧化條件對雙通型TiO2納米管陣列薄膜形成的影響

編號：FTJS06737

篇名：陽極氧化條件對雙通型TiO2納米管陣列薄膜形成的影響

作者：李麗 ;張凱 ;李華亮 ;吳麗 ;馮軍 ;張海寧

關(guān)鍵詞：二氧化鈦 納米管 陣列薄膜 自支撐 陽極氧化

機構(gòu)： 廣東電網(wǎng)有限責(zé)任公司電力科學(xué)研究院;武漢理工大學(xué)材料復(fù)合新技術(shù)國家重點實驗室

摘要： 采用陽極氧化技術(shù)制備了雙通型自支撐二氧化鈦納米管陣列薄膜,并研究了陽極氧化條件對所形成的陣列薄膜的厚度以及形貌的影響。結(jié)果表明,反應(yīng)溫度和陽極電壓對所制備的陣列薄膜的表面形貌以及納米管的生長速度有較大影響;而所生成的陣列薄膜的厚度隨陽極氧化時間的增加而增加。在陽極氧化過程中,最終階段的快速升高電壓是形成雙通型陣列薄膜的關(guān)鍵因素。