SiO2/Si襯底上Au納米顆粒制備的研究

編號(hào)：NMJS06210

篇名：SiO2/Si襯底上Au納米顆粒制備的研究

作者：許怡紅[1] ;王塵[2] ;韓響[1] ;賴淑妹[1] ;陳松巖[1]

關(guān)鍵詞：Au納米顆粒 射頻磁控濺射 快速熱退火

機(jī)構(gòu)： [1]廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,福建廈門361005; [2]廈門理工學(xué)院光電與通信工程學(xué)院,福建廈門361024

摘要： 采用射頻磁控濺射結(jié)合快速熱退火的方法在SiO2/Si襯底上制備Au納米顆粒,研究了濺射條件、退火溫度對(duì)Au納米顆粒的尺寸及其分布的影響.結(jié)果表明,對(duì)于濺射后呈現(xiàn)分立且尺寸較小的Au納米顆粒樣品,其具有較好的熱穩(wěn)定性,而對(duì)于濺射后Au近似成膜的樣品,Au顆粒隨著退火溫度的升高先減小后增大再減小,認(rèn)為這是由于退火過程中存在著應(yīng)力釋放與表面能最小化2種競爭機(jī)制共同作用的結(jié)果;通過降低濺射功率,最終制備得到高密度（1.1×10^12 cm-2）、小尺寸（〈5nm）的Au納米顆粒,并有望在金屬納米晶半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中得到應(yīng)用.