銀納米光柵增加晶體硅薄膜太陽能電池光吸收的研究

編號：CPJS05293

篇名：銀納米光柵增加晶體硅薄膜太陽能電池光吸收的研究

作者：盧輝東 ;鐵生年 ;劉杰

關(guān)鍵詞：光伏 晶體硅薄膜 太陽能電池 表面等離子體激元 陷光 金屬納米光柵

機構(gòu)： 青海大學新能源光伏產(chǎn)業(yè)研究中心,青海西寧810016

摘要： 為了提高晶體硅（c-Si）薄膜太陽能電池對光的俘獲能力，提出了一種可以顯著增強光吸收的電池結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)由減反射層、有源層和背反射鏡組成�；�于有效折射率調(diào)制的基本原則和嚴格耦合波理論，通過數(shù)值計算與仿真討論了不同結(jié)構(gòu)層的光學特性，計算了減反射層的透射率、背反射鏡的反射率和經(jīng)過優(yōu)化后的c-Si薄膜太陽能電池的吸收率。在AM1．5G（地表面上接受到的以48。入射的太陽光譜，包含漫反射）照射下，當入射角小于75°，有源層的厚度為20μm時，太陽能電池在400～850nm、850～1000nm、1000～1100nm波長范圍內(nèi)平均吸收率分別為85．7％、49％、14％，有效彌補了c—Si薄膜太陽能電池近紅外波段吸收不足的缺陷。