NiO納米線陣列紫外光電特性

編號：CPJS05289

篇名：NiO納米線陣列紫外光電特性

作者：相文峰[1,2] ;蔡天宇[1,2] ;黃曉煒[1,2] ;趙重陽[1,2] ;王鑫[1,2]

關(guān)鍵詞：紫外光探測器 NiO/Ni殼層納米線 納米線陣列 紫外光電效應(yīng) 響應(yīng)度

機構(gòu)： [1]中國石油大學(xué)(北京)油氣光學(xué)探測技術(shù)北京市重點實驗室,北京102249; [2]中國石油大學(xué)(北京)光傳感與光探測實驗室,北京102249

摘要： 通過電化學(xué)沉積及退火處理制得NiO納米線,并制備出了NiO納米線陣列紫外光電導(dǎo)探測器。掃描電子顯微鏡測試發(fā)現(xiàn)制備出的納米線非常均勻,長度約為50μm。X射線衍射測試表明氧化退火后形成的NiO是多晶立方相結(jié)構(gòu);同時,Ni納米線并沒有被完全氧化,而是形成了一個NiO/Ni殼層結(jié)構(gòu)。在外加1 V偏壓下,暗電流為0.92μA,光電流為19.1μA,光電流約是暗電流的20倍;在0.3 mA偏流下,探測器的暗電壓約為紫外光照下光電壓的2.5倍,響應(yīng)時間為1.6 s,延遲時間為6 s。探測器光暗電壓差在0-1.1 W/cm^2光照強度范圍內(nèi)是線性變化的,響應(yīng)度為6.4 V/W。同時,探討了NiO/Ni殼層納米線陣列的光電效應(yīng)工作機理。