微錐陣列對碳納米管薄膜強流脈沖發(fā)射的影響

編號：NMJS06175

篇名：微錐陣列對碳納米管薄膜強流脈沖發(fā)射的影響

作者：麻華麗[1] ;霍海波[1] ;曾凡光[1] ;向飛[2] ;王淦平[2]

關(guān)鍵詞：碳納米管 強流脈沖發(fā)射 微錐陣列 單元尺寸 電場模擬

機構(gòu)： [1]鄭州航空工業(yè)管理學院理學院,鄭州450015; [2]中國工程物理研究院應(yīng)用電子學研究所,高功率微波技術(shù)重點實驗室,綿陽621900

摘要： 采用酞菁鐵高溫熱解方法,以化學鍍銅層為緩沖層,在具有微錐結(jié)構(gòu)陣列的硅基底上制備了CNTs薄膜,并采用二極結(jié)構(gòu),在20 GW脈沖功率源系統(tǒng)中對其強流脈沖發(fā)射特性進行了測試。結(jié)果表明：在相同的峰值電場下,CNT薄膜的發(fā)射電流峰值隨基底微結(jié)構(gòu)單元尺寸的減小而增大,且當脈沖電場的峰值增加時,CNT薄膜的發(fā)射電流的峰值增長速度隨基底微結(jié)構(gòu)單元尺寸的減小而增大。結(jié)合利用有限元分析軟件ANSYS模擬計算的微錐陣列結(jié)構(gòu)上表面的電場分布,研究了不同單元尺寸的微錐陣列對碳納米管薄膜強流脈沖發(fā)射能力的影響。