新結(jié)構(gòu)InN納米材料的CVD生長

編號：CPJS05170

篇名：新結(jié)構(gòu)InN納米材料的CVD生長

作者：劉敏 ;黃靜雯 ;楚士晉 ;彭汝芳

關(guān)鍵詞：化學(xué)氣相沉積法 InN納米葉 晶體結(jié)構(gòu) 光致發(fā)光譜

機構(gòu)： 西南科技大學(xué)四川非金屬復(fù)合與功能材料重點實驗室-省部共建國家重點實驗室培育基地,四川綿陽621010

摘要： 采用化學(xué)氣相沉積法在p型硅襯底上制備具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的不同形貌的InN納米材料,通過掃描電子顯微鏡和X射線衍射分析了InN納米材料的形貌、元素組成及晶體結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)該材料具有納米線、納米葉、納米項鏈3種結(jié)構(gòu),其中納米葉是InN中的一種新型結(jié)構(gòu)材料,且未見報道。能譜掃描檢測確定氮銦原子質(zhì)量比約為1：1.07。在室溫下光致發(fā)光譜的測試中,經(jīng)計算可得InN納米材料的帶隙為0.725eV,同時InN納米葉的發(fā)光強度優(yōu)于納米線與納米項鏈,表明新型納米葉結(jié)構(gòu)具有更優(yōu)異的光學(xué)性能。