硫化鎘/石墨烯/TiO2納米棒陣列的光電化學(xué)性能

編號(hào)：CPJS05142

篇名：硫化鎘/石墨烯/TiO2納米棒陣列的光電化學(xué)性能

作者：張亞萍[1] ;黃承興[1] ;董開(kāi)拓[1] ;張志萍[1] ;于濂清[1] ;李焰[2]

關(guān)鍵詞：TiO2納米棒 硫化鎘 石墨烯 光電化學(xué)性能

機(jī)構(gòu)： [1] 中國(guó)石油大學(xué)理學(xué)院,山東青島,266580; [2] 中國(guó)石油大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院,山東青島,266580

摘要： 采用水熱法在摻氟導(dǎo)電玻璃（FTO）上生長(zhǎng)TiO_2納米棒陣列。通過(guò)電化學(xué)伏安法將氧化石墨烯還原并沉積在TiO_2納米棒陣列上,再經(jīng)過(guò)化學(xué)水浴沉積硫化鎘,形成Cd S/石墨烯/TiO_2陣列復(fù)合材料。用X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡及X射線能量色散儀對(duì)樣品的晶型、形貌以及成分進(jìn)行分析。通過(guò)電化學(xué)工作站表征樣品交流阻抗、開(kāi)路電位、光電流響應(yīng)及光化學(xué)能轉(zhuǎn)換效率。結(jié)果表明,復(fù)合材料的電荷轉(zhuǎn)移電阻約是未修飾的TiO_2納米棒陣列的1/17,光電流比未修飾的TiO_2納米棒陣列提高約2.5倍,在外加電壓為-0.6 V時(shí)可達(dá)到2.2%。