多孔硅負(fù)載銀納米顆粒提高硅基MSM光電探測器性能的研究

編號：FTJS06670

篇名：多孔硅負(fù)載銀納米顆粒提高硅基MSM光電探測器性能的研究

作者：王繼偉[1,2] ;陳海燕[1] ;李東棟[1] ;楊康[1] ;任偉[2] ;陳小源[1]

關(guān)鍵詞：多孔硅 銀納米顆粒 光吸收率 局域表面等離子體共振 光電探測器 金屬輔助刻蝕

機(jī)構(gòu)： [1]中國科學(xué)院上海高等研究院薄膜光電工程技術(shù)研究中心,上海201210; [2]上海大學(xué)理學(xué)院物理系量子與分子結(jié)構(gòu)國際中心,上海200444

摘要： 利用金屬輔助刻蝕的方法在單晶硅片表面制備了多孔硅,結(jié)果表明多孔硅表面納米結(jié)構(gòu)的陷光作用在寬光譜范圍內(nèi)大幅提高了硅片的光吸收率。將銀納米顆粒負(fù)載到多孔硅表面,研究了其對硅基金屬-半導(dǎo)體-金屬型光電探測器（MSM-PDs）性能的影響。與基于硅片和多孔硅結(jié)構(gòu)的MSM-PDs相比,基于多孔硅負(fù)載銀納米顆粒制備的MSM-PDs在420 nm入射光照射條件下的光暗電導(dǎo)比以及光響應(yīng)度都有顯著提高,這主要得益于表面納米結(jié)構(gòu)對暗電導(dǎo)的降低及光場中銀納米顆粒的LSPR效應(yīng)對光電導(dǎo)的提升作用。