GaN基納米陣列LED器件制備及發(fā)光特性

編號：SBJS00634

篇名：GaN基納米陣列LED器件制備及發(fā)光特性

作者：智婷 ;陶濤 ;劉斌 ;莊喆 ;謝自力 ;陳鵬 ;張榮 ;鄭有炓

關(guān)鍵詞：INGAN/GAN 發(fā)光二極管 納米柱 納米壓印

機構(gòu)： 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院,江蘇南京210093

摘要： 為了降低GaN材料中因應(yīng)變誘導(dǎo)的量子斯托克斯效應(yīng),增加器件有源區(qū)內(nèi)的電子-空穴波函數(shù)在實空間的交疊從而提高GaN基LEDs的發(fā)光效率,采用紫外軟壓印技術(shù)制備了均勻的周期性納米柱陣列結(jié)構(gòu),結(jié)合常規(guī)LED器件微加工技術(shù)獲得了In GaN/GaN基藍光與綠光納米陣列LED器件并對其進行了表征分析。結(jié)果表明：納米柱陣列LED器件具有均勻的發(fā)光和穩(wěn)定的光電性能。納米結(jié)構(gòu)不僅有效緩解了量子阱中的應(yīng)力積累（弛豫度~70%）,提高了器件的輻射復(fù)合幾率和出光效率,同時結(jié)合納米柱側(cè)壁的化學(xué)鈍化處理進一步降低了器件有源區(qū)的缺陷密度,顯著降低了LED器件的漏電流（~10-7）,最終提高了器件的發(fā)光效率。