木犀草素在多壁碳納米管修飾碳糊電極上的電化學(xué)行為及其與DNA相互作用

編號(hào)：FTJS06646

篇名：木犀草素在多壁碳納米管修飾碳糊電極上的電化學(xué)行為及其與DNA相互作用

作者：尚永輝 ;劉彬 ;古元梓

關(guān)鍵詞：木犀草素 多壁碳納米管 修飾碳糊電極,相互作用

機(jī)構(gòu)： 咸陽師范學(xué)院化學(xué)與化工學(xué)院,咸陽712000

摘要： 采用循環(huán)伏安法、差分脈沖法研究了木犀草素在多壁碳納米管修飾碳糊電極上的電化學(xué)行為。在p H 3.29的B-R緩沖體系中,木犀草素在0.502 V和0.452 V處產(chǎn)生一對(duì)明顯的氧化還原峰,其峰電流與木犀草素濃度在5.0×10（-8）1.0×10（-5）mol/L范圍內(nèi)呈良好的線性關(guān)系,木犀草素在電極上是受吸附控制的2質(zhì)子、2電子電極反應(yīng)過程;在此基礎(chǔ)上研究了木犀草素與DNA的相互作用,隨著DNA的濃度增加木犀草素的電化學(xué)信號(hào)逐漸降低,表明木犀草素能與DNA發(fā)生明顯的相互作用,進(jìn)一步研究表明木犀草素與DNA的相互作用是以嵌入方式為主。