添加劑濃度對(duì)直流電解沉積納米孿晶Cu微觀結(jié)構(gòu)的影響

編號(hào)：NMJS06051

篇名：添加劑濃度對(duì)直流電解沉積納米孿晶Cu微觀結(jié)構(gòu)的影響

作者：金帥 ;程釗 ;潘慶松 ;盧磊

關(guān)鍵詞：納米孿晶Cu 直流電解沉積 孿晶片層尺寸 添加劑

機(jī)構(gòu)： 中國(guó)科學(xué)院金屬研究所沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,沈陽(yáng)110016

摘要： 采用直流電解沉積技術(shù)制備出具有高密度擇優(yōu)取向的納米孿晶結(jié)構(gòu)塊體純Cu樣品.利用XRD,SEM和TEM等手段研究了添加劑濃度對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)的影響.結(jié)果表明,樣品由沿沉積方向生長(zhǎng)的微米尺寸柱狀晶粒構(gòu)成,晶粒內(nèi)含有高密度孿晶界,且大部分孿晶界平行于生長(zhǎng)表面.添加劑（明膠）濃度對(duì)納米孿晶Cu的孿晶片層厚度有明顯影響,但對(duì)晶粒尺寸影響不大.無(wú)添加劑時(shí),純Cu樣品中存在微米量級(jí)寬大孿晶片層,當(dāng)添加劑濃度從0.5 mg/L增加到5 mg/L,孿晶片層厚度從150 nm減小至30 nm,且孿晶界生長(zhǎng)更完整.其原因是隨著添加劑濃度增加,陰極過(guò)電位增大,孿晶界形核率增加,從而使孿晶片層厚度減小.