全印刷碳納米管薄膜晶體管構(gòu)建及電性能研究

編號(hào)：CPJS05022

篇名：全印刷碳納米管薄膜晶體管構(gòu)建及電性能研究

作者：張祥[1,2] ;費(fèi)斐[2] ;郭文瑞[2] ;聶書(shū)紅[2] ;吳良專(zhuān)[3] ;謝建軍[1] ;趙建文[2] ;崔錚[2]

關(guān)鍵詞：納米壓印 電刷鍍 半導(dǎo)體碳納米管 聚合物 印刷電子 薄膜晶體管

機(jī)構(gòu)： [1]上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,上海200444; [2]中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所印刷電子研究中心,江蘇蘇州215123; [3]中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所,北京100190

摘要： 利用納米壓印和電刷鍍技術(shù)在PET基體上制作出大面積金源、漏電極陣列。分別采用鈦酸鋇復(fù)合材料為介電層,印刷銀電極為頂電極,聚芴-二噻吩基吡咯并吡咯二酮（PF8DPP）分離的半導(dǎo)體碳納米管為有源層,在柔性基體上構(gòu)建出全印刷碳納米管薄膜晶體管器件和反相器。全印刷碳納米管薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)比和遷移率分別達(dá)到4×10^4和6cm2·V^-1·s^-1,且器件表現(xiàn)出零回滯特性。構(gòu)建的反相器在Vdd=8V時(shí),其增益可以達(dá)到12。