Bi2Te3／Sb超晶格納米線的外延生長(zhǎng)和熱電測(cè)量

編號(hào)：CPJS04888

篇名：Bi2Te3／Sb超晶格納米線的外延生長(zhǎng)和熱電測(cè)量

作者：李亮[1] ;許思超[1] ;李廣海[1,2]

關(guān)鍵詞：BI2TE3 超晶格納米線 電沉積 熱電 哈曼技術(shù)

機(jī)構(gòu)： [1]中國(guó)科學(xué)院固體物理研究所,中國(guó)科學(xué)院材料物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,安徽省納米材料與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,合肥230031; [2]中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院,合肥230026

摘要： 通過(guò)脈沖電沉積，外延生長(zhǎng)出小單元長(zhǎng)度的Bi2Te3／Sb超晶格納米線．借助哈曼方法，測(cè)量了超晶格納米線陣列的熱電性能，330K時(shí)的ZT值可達(dá)0．15．研究了Bi2Te3／Sb超晶格納米線陣列器件的制冷或者加熱能力，發(fā)現(xiàn)器件的上下表面的最大溫差可以達(dá)N6．6K．