CoSb_3納米薄膜的制備與熱電性能（英文）

編號(hào)：CPJS04860

篇名：CoSb_3納米薄膜的制備與熱電性能（英文）

作者：李磊 ;劉憲云 ;錢(qián)忠建 ;江興方

關(guān)鍵詞：納米材料 CoSb3 低壓化學(xué)氣相沉積 熱電性 半導(dǎo)體

機(jī)構(gòu)： 常州大學(xué)數(shù)理學(xué)院,江蘇常州213164

摘要： 通過(guò)對(duì)低壓化學(xué)氣相沉積制得的CoSb3納米薄膜在300~800K溫度范圍內(nèi)的熱電性能測(cè)試,發(fā)現(xiàn)其電阻率較其他單晶CoSb3塊狀樣品低一個(gè)量級(jí),熱導(dǎo)率值在1.08~4.05 Wm-1 K-1之間,比單晶CoSb3低得多.這表明納米結(jié)構(gòu)導(dǎo)致熱導(dǎo)率顯著降低,最高熱電優(yōu)值在773K出現(xiàn)且為0.114.這種納米薄膜材料在研制新型高效熱電半導(dǎo)體方面極具應(yīng)用前景.