納米金顆粒修飾的摻硼金剛石薄膜電極對(duì)三價(jià)砷離子的定量檢測(cè)

編號(hào)：NMJS05891

篇名：納米金顆粒修飾的摻硼金剛石薄膜電極對(duì)三價(jià)砷離子的定量檢測(cè)

作者：崔凱[1] ;宋紅攀[1] ;汪家道[2]

關(guān)鍵詞：納米金顆粒 摻硼金剛石薄膜電極 三價(jià)砷離子

機(jī)構(gòu)： [1]中國(guó)核電工程有限公司,北京100840; [2]清華大學(xué)摩擦學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京100084

摘要： 采用靜電力誘導(dǎo)自組裝的方法將納米金顆粒自組裝到摻硼金剛石薄膜（BDD）電極表面,采用掃描電子顯微鏡和X射線光電能譜儀對(duì)其表面進(jìn)行表征。對(duì)自組裝在BDD電極表面的納米金顆粒進(jìn)行種子生長(zhǎng),并用于檢測(cè)BDD電極之前無(wú)法檢測(cè)的As^3＋。采用溶出伏安法分別研究了富集時(shí)間、富集電位以及電解質(zhì)溶液對(duì)As^3＋檢測(cè)的影響,選擇出合適的檢測(cè)參數(shù)完成對(duì)As^3＋的定量檢測(cè)。在鹽酸為電解質(zhì)的條件下,As^3＋的濃度在小于3×10^-6g/L時(shí),As^3＋的濃度與氧化峰電流表現(xiàn)出良好的線性關(guān)系,且最低檢測(cè)限為0.3×10^-6g/L。