形貌可控的CdS微米/納米結構的表征和發(fā)光性能(英文)

編號：NMJS05071

篇名：形貌可控的CdS微米/納米結構的表征和發(fā)光性能(英文)

作者：劉洪超； 祁小四； 鄧朝勇；

關鍵詞：CdS納米帶； CdS納米棒； CdS微米柱； 熱蒸發(fā)； 發(fā)光性能；

機構： 貴州大學貴州省電子功能復合材料特色重點實驗室； 貴州大學理學院；

摘要： 利用簡單的熱蒸發(fā)CdS粉末方法,可合成出高質量的CdS微米柱。通過調控Si襯底上Au膜的厚度,能夠大面積合成出尺寸均一的CdS納米帶和納米棒。系統(tǒng)地研究了所合成樣品的相、微結構和光致發(fā)光特性。室溫下樣品的發(fā)光結果表明可在所合成CdS微米柱上觀察到位于約512 nm對應于其帶隙的強發(fā)光峰。與CdS微米柱不同的是,可在所合成的CdS納米帶和納米棒樣品上分別觀測到位于約521和543 nm,528和550 nm處對應于帶邊附近的發(fā)射強峰。并且,所合成的CdS納米帶和納米棒展現(xiàn)出位于約710和712 nm位置處的寬峰,該峰的出現(xiàn)與結構缺陷、離子缺陷或雜質有關。與CdS納米帶的發(fā)光性能相比,所合成的CdS納米棒表現(xiàn)出增強的發(fā)光性能。