聚酰亞胺/二氧化鈦納米復(fù)合薄膜制備與耐電暈性

編號：CPJS02446

篇名：聚酰亞胺/二氧化鈦納米復(fù)合薄膜制備與耐電暈性

作者：孔宇楠； 殷景華； 鐵雯鷺； 劉曉旭； 宋明歆； 雷清泉；

關(guān)鍵詞：聚酰亞胺； TiO2； 復(fù)合薄膜； 制備； 耐電暈；

機(jī)構(gòu)： 哈爾濱理工大學(xué)應(yīng)用科學(xué)學(xué)院； 哈爾濱理工大學(xué)工程電介質(zhì)及其應(yīng)用教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；

摘要： 采用原位聚合法制備不同TiO2組分聚酰亞胺(PI)/納米TiO2復(fù)合薄膜,薄膜厚度50μm。測試結(jié)果表明,TiO2呈球狀顆粒,直徑約為100 nm,聚酰亞胺呈片狀,尺寸約為2μm×1μm。隨著TiO2含量的增加,復(fù)合薄膜介電常數(shù)和介電損耗增大,擊穿場強(qiáng)先增加后降低;在40 kV/mm電場強(qiáng)度下,復(fù)合薄膜耐電暈老化壽命增加,純PI薄膜壽命為3 h,20wt%TiO2含量薄膜壽命達(dá)到25 h;TiO2顆粒耐電暈?zāi)芰��?qiáng),與聚合物形成界面相,改變材料陷阱能級,有利于空間電荷的擴(kuò)散和熱量的傳輸,在薄膜表面形成放電阻擋層,降低局部放電對薄膜內(nèi)部的侵蝕,顯著提高薄膜耐電暈老化壽命。