熒光粉Sr2SiO4:Eu2+中不同格位發(fā)光研究

編號：FTJS04551

篇名：熒光粉Sr2SiO4:Eu2+中不同格位發(fā)光研究

作者：吳霞； 李緒誠； 羅思遠； 龔新勇； 鄧朝勇；

關鍵詞：Sr2SiO4:Eu2+； 格位； 選擇激發(fā)； 濃度猝滅； 能量傳遞；

機構： 貴州大學理學院電子科學系,貴州省電子功能復合材料特色重點實驗室；

摘要： 采用高溫固相反應法制備了Sr2SiO4:xEu2+熒光粉,研究Eu2+所占據(jù)的Sr2SiO4中Sr1和Sr2兩個不同格位及摻雜濃度和激發(fā)波長對格位發(fā)光的影響。熒光粉發(fā)射光譜為一雙峰的寬發(fā)射光譜,可擬合為峰值位置位于480nm和530nm的兩條高斯曲線,分別對應Eu2+所占據(jù)的Sr1和Sr2兩個不同格位的發(fā)射。隨著Eu2+摻雜濃度增加,Sr1和Sr2格位的發(fā)光強度均出現(xiàn)濃度猝滅現(xiàn)象,Sr2格位的長波長發(fā)射峰出現(xiàn)明顯紅移現(xiàn)象,而Sr1格位的短波長發(fā)射峰發(fā)生紅移-藍移-紅移現(xiàn)象,這與Sr1和Sr2格位的優(yōu)先占據(jù)以及格位間能量傳遞有關。隨著激發(fā)波長的增加,Sr2格位的長波長發(fā)射的發(fā)光強度與Sr1格位的短波長發(fā)射的發(fā)光強度比值增加,占據(jù)不同格位的Eu2+對不同激發(fā)波長表現(xiàn)出明顯的選擇激發(fā)效應。