合成碳化硅的熱力學(xué)分析及碳化硅晶須生長的表征

編號：CPJS02262

篇名：合成碳化硅的熱力學(xué)分析及碳化硅晶須生長的表征

作者：李心慰； 曲殿利； 李志堅(jiān)； 吳鋒； 徐娜；

關(guān)鍵詞：碳化硅晶須； 熱力學(xué)； 合成條件； 催化劑；

機(jī)構(gòu)： 遼寧科技大學(xué)高溫材料與鎂資源工程學(xué)院；

摘要： 以硅溶膠和炭黑為原料,三氧化二鐵、硅鐵合金為催化劑,研究分析碳化硅晶須的合成條件,催化劑種類對合成碳化硅晶須的影響。用X’pert plus軟件對X射線衍射圖進(jìn)行擬合,通過半定量法對試樣晶相組成進(jìn)行計(jì)算,用SEM對合成的碳化硅晶須進(jìn)行微觀形貌分析。結(jié)果表明:合成β-SiC w的熱力學(xué)條件為:T=1823 K時,P CO>0.23×105Pa;晶須生成量隨Fe2O3、Si-Fe加入量增加而增多;Si-Fe加入量為1%時,雖然合成的晶須量少,但生成的β-SiC w直徑均勻,為0.1~0.6μm,長度適中,為10~50μm,直晶率達(dá)95%。