氧化鋁薄膜對硫鈍化InP材料光學穩(wěn)定性的影響

編號：FTJS04449

篇名：氧化鋁薄膜對硫鈍化InP材料光學穩(wěn)定性的影響

作者：田珊珊； 魏志鵬； 趙海峰； 高嫻； 方鉉； 唐吉龍； 楚學影； 方芳； 李金華； 王曉華； 李梅； 馬曉輝；

關鍵詞：InP； 光致發(fā)光； 硫鈍化； 表面態(tài)密度； Al2； O3； 薄膜；

機構： 長春理工大學理學院； 長春光學精密機械與物理研究所發(fā)光學及應用國家重點實驗室；

摘要： 利用原子層沉積法(ALD)在硫鈍化后的n型InP表面沉積Al2O3薄膜進行二次鈍化處理。通過光致發(fā)光(PL)測試和原子力顯微鏡(AFM)測試對樣品的光學性質及表面形貌進行表征。硫鈍化能夠有效降低樣品的表面態(tài)密度及無輻射復合幾率,因此樣品PL發(fā)光強度得到了極大提高。而樣品表面的Al2O3可防止鈍化層被氧化,盡管相對于沉積Al2O3薄膜前樣品的光致發(fā)光強度有所降低,但樣品的穩(wěn)定性得到了改善,因此可進一步提高樣品的發(fā)光性能。