低熔點(diǎn)合金襯底上CVD法生長(zhǎng)石墨烯

編號(hào)：FTJS04183

篇名：低熔點(diǎn)合金襯底上CVD法生長(zhǎng)石墨烯

作者：孫雷； 沈鴻烈； 李金澤； 吳天如； 丁古巧； 朱云； 謝曉明

關(guān)鍵詞：石墨烯； Cu-In合金； 化學(xué)氣相沉積

機(jī)構(gòu)： 南京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院； 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所,信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

摘要： 以CH4為氣態(tài)碳源,不同組分的In基合金為襯底,用CVD法進(jìn)行石墨烯生長(zhǎng)的研究結(jié)果。用光學(xué)顯微鏡,拉曼光譜,場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡對(duì)生長(zhǎng)的薄層進(jìn)行了表征。結(jié)果顯示在熔融態(tài)金屬Cu-In合金上成功制備了石墨烯薄膜,"表面催化"型金屬Cu的加入In使金屬表面形核點(diǎn)增多,合金表面石墨烯的生長(zhǎng)速度提高,但石墨烯質(zhì)量下降;"溶解析出"型金屬Ni與低熔點(diǎn)金屬In組成的合金催化性能有明顯的增強(qiáng),在極短的時(shí)間內(nèi)堆積成石墨"塊";金屬Sn不具備明顯的催化生長(zhǎng)石墨烯的能力,導(dǎo)致了Sn-In合金襯底上石墨烯的生長(zhǎng)與純In類似,Sn的影響作用較弱。