應變對石墨型B3N4幾何與電子結構的影響

編號：FTJS04155

篇名：應變對石墨型B3N4幾何與電子結構的影響

作者：高本領；

關鍵詞：密度泛函理論； 石墨型B3N4； 穩(wěn)定性； 導體；

機構： 淮陰工學院數理學院； 南京大學物理學院；

摘要： 通過密度泛函理論研究了非磁狀態(tài)下應變對石墨型B3N4(g-B3N4)幾何與電子結構的影響:結果發(fā)現g-B3N4結構具有較高的穩(wěn)定性,是性能良好的導體,導電電荷主要是N中P電子貢獻;隨著材料由壓縮到拉伸,材料的導電能力變弱,暗示了又一無金屬元素導體材料gB3N4的可靠存在。