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            國產(chǎn)碳化硅走出國門


            來源:中國粉體網(wǎng)   長安

            [導(dǎo)讀]  國產(chǎn)碳化硅逐漸走進國際客戶的視野

            中國粉體網(wǎng)訊  近年來,以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件,受到了廣泛的關(guān)注。碳化硅材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度,10倍于硅材料的臨界擊穿電場強度,3倍于硅材料的熱導(dǎo)率。因此碳化硅功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應(yīng)用場合,且有助于電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度的提升,憑借其卓越性能而被不斷應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。


            碳化硅市場的競爭已席卷全球,而中國龐大的市場是兵家必爭之地。近幾年,隨著光伏、新能源汽車的發(fā)展,中國在整個新能源產(chǎn)業(yè)中占據(jù)著舉足輕重的地位,而國產(chǎn)碳化硅也逐漸走進國際客戶的視野。


            中電化合物&Power Master


            2023年6月15日,中電化合物與韓國Power Master公司簽署長期供應(yīng)SiC材料的協(xié)議,包括8英寸。中電化合物董事潘堯波表示,2023年8月份第一批8英寸碳化硅外延片將會向客戶交貨。


            中電化合物目前碳化硅年產(chǎn)能2萬片,公司預(yù)計未來3年碳化硅年產(chǎn)能將達到8萬片。


            三安光電&STMicroelectronics


            2023年6月7日,三安光電公告宣布,公司全資子公司湖南三安與STMicroelectronics擬在重慶共同設(shè)立一家專門從事碳化硅外延、芯片生產(chǎn)的合資代工公司。合資公司主要從事碳化硅外延、芯片生產(chǎn),項目在取得各項手續(xù)批復(fù)后開始建設(shè),預(yù)計于2025年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn),2028年達產(chǎn),規(guī)劃達產(chǎn)后生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓10000片/周。


            同時,三安光電擬在重慶設(shè)立8英寸碳化硅襯底工廠,以滿足合資工廠的襯底需求,并與其簽訂長期供應(yīng)協(xié)議。達產(chǎn)后,規(guī)劃生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬片/年。


            2023年9月6-8日,在SEMICON Taiwan 2023上,三安光電攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相,除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外,還首發(fā)了8英寸SiC襯底。


            三安光電8英寸碳化硅襯底(來源:三安光電)


            天科合達&Infineon


            2023年5月3日,Infineon宣布與中國碳化硅供應(yīng)商天科合達簽訂了一份長期協(xié)議,天科合達將為Infineon供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品的高質(zhì)量并且有競爭力的8英寸米碳化硅晶圓和晶錠,其供應(yīng)量預(yù)計將占到Infineon長期需求量的兩位數(shù)份額。根據(jù)該協(xié)議,第一階段將側(cè)重于6英寸碳化硅材料的供應(yīng),未來天科合達也將提供8英寸直徑碳化硅材料。


            天科合達8英寸碳化硅襯底(來源:天科合達)


            天科合達2022年11月發(fā)布了8英寸導(dǎo)電型SiC襯底,目前已實現(xiàn)小批量供貨。計劃到2024年底,形成中批量供貨,并在2025年Q3形成穩(wěn)定的批量供貨。


            天岳先進&Infineon


            2023年5月3日,Infineon宣布與天岳先進簽訂一項新的晶圓和晶錠供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,天岳先進將為德國半導(dǎo)體制造商Infineon供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體的高質(zhì)量并且有競爭力的6英寸碳化硅晶圓和晶錠,其供應(yīng)量預(yù)計將占到Infineon長期需求量的兩位數(shù)份額。Infineon還表示未來天岳先進也會助力公司往8英寸直徑碳化硅晶圓的過渡。


            天岳先進自2020年便啟動了8英寸SiC襯底的研發(fā),并在ICSCRM 2022上宣布成功研發(fā)了8英寸SiC襯底。該公司通過液相法制備出了低缺陷密度的8英寸SiC晶體,屬于業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。目前天岳先進8英寸SiC襯底上已經(jīng)具備量產(chǎn)能力,已實現(xiàn)了小批量銷售。


            在2023年9月19日,第十二屆中國知識產(chǎn)權(quán)年會上,天岳先進董事長宗艷民作為開幕式主旨演講嘉賓參加本次大會。宗艷民表示,未來,中國制造的碳化硅半導(dǎo)體材料,將繼續(xù)走出國門,影響世界,成為“中國制造”在國際市場的一張亮麗名片。


            天岳先進&Bosch


            2023年4月27日,天岳先進發(fā)布2022年年度報告,年報披露,2022年公司繼續(xù)秉持“先進品質(zhì)持續(xù)”的經(jīng)營理念,推動碳化硅材料應(yīng)用與全球汽車電子知名企業(yè)博世集團簽署長期協(xié)議,公司加入博世集團的碳化硅襯底片供應(yīng)商行列,以支持下游車企對高功率設(shè)備不斷增長的需求。


            (中國粉體網(wǎng)編輯整理/長安)

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            作者:長安

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