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            科友半導體6英寸SiC晶體厚度突破32mm


            來源:半導體材料行業(yè)分會

            [導讀]  6月17日,科友半導體宣布,以其自主設備和技術研發(fā)的6英寸SiC晶體在厚度上實現(xiàn)突破,達到32.146mm。

            中國粉體網(wǎng)訊  6月17日,科友半導體宣布,以其自主設備和技術研發(fā)的6英寸SiC晶體在厚度上實現(xiàn)突破,達到32.146mm,業(yè)內(nèi)領先。此外,其自主研發(fā)的SiC長晶爐(感應)已有99%的部件實現(xiàn)國產(chǎn)替代。




            據(jù)悉,科友半導體從2018年成立伊始就致力于半導體技術和產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新,目前,他們自主研發(fā)的SiC長晶爐(感應)已有99%的部件實現(xiàn)國產(chǎn)替代。


            2021年11月,哈爾濱新區(qū)報報道曾指出,科友半導體已完成6英寸第三代半導體襯底制備,正在進行8英寸襯底研制。



            在產(chǎn)業(yè)化方面,2021年10月,科友半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目一期在建的生產(chǎn)車間大樓封頂并進行二次結(jié)構(gòu)砌筑。據(jù)悉,一期生產(chǎn)車間大樓建成后將鋪設100臺套設備。項目全部達產(chǎn)后,最終形成年產(chǎn)碳化硅襯底近10萬片,高純半絕緣晶體1000公斤的產(chǎn)能;PVT-SiC晶體生長成套設備年產(chǎn)銷200臺套。


            據(jù)悉,預計科友的生產(chǎn)車間、辦公樓及展示廳將于今年7月份全部交工驗收,8月正式投產(chǎn)。


            科友半導體成立于2018年,主要攻關第三代半導體材料和裝備,在相繼突破4英寸和6英寸SiC襯底和裝備技術的基礎上,不斷向產(chǎn)業(yè)化方向邁進,目前已形成從材料到襯底和裝備的自主知識產(chǎn)權體系,具備規(guī);a(chǎn)條件。


            今年5月20日,科友半導體發(fā)文稱,隨著2020年開工的科友半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目一期工程逐漸收尾完工,以科友自有技術為依托的年產(chǎn)10萬片第三代半導體襯底材料生產(chǎn)線將于今年8月投產(chǎn)。


            科友半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目由哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術研究院有限公司和哈爾濱新區(qū)共同出資建設,項目占地4.5萬平方米,總投資10億元,將打造包括技術開發(fā)、裝備設計、襯底制造等在內(nèi)的全產(chǎn)業(yè)鏈的科技成果轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)化應用研究集聚區(qū);以哈爾濱為總部,打造國家級第三代半導體裝備與材料創(chuàng)新中心,通過國際合作、創(chuàng)新引智,改善產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)發(fā)展半導體核心材料產(chǎn)業(yè)。


            (中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)

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