中國粉體網(wǎng)訊 6月17日,科友半導(dǎo)體宣布,以其自主設(shè)備和技術(shù)研發(fā)的6英寸SiC晶體在厚度上實現(xiàn)突破,達到32.146mm,業(yè)內(nèi)領(lǐng)先。此外,其自主研發(fā)的SiC長晶爐(感應(yīng))已有99%的部件實現(xiàn)國產(chǎn)替代。據(jù)悉,科友半導(dǎo)體從201[更多]
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