中國粉體網(wǎng)訊 近日,浙大科創(chuàng)先進半導體研究院-杭州乾晶半導體聯(lián)合實驗室經(jīng)過系列技術(shù)攻關(guān),在大尺寸碳化硅(SiC)單晶生長及其襯底制備方面取得突破,成功生長出厚度達27毫米的8英寸n型碳化硅單晶錠,并加工獲得了8英寸碳化硅襯底[更多]
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