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            晶體生長
            
    
            
    
            

            

            推薦陳小龍團隊：晶圓級立方碳化硅單晶生長取得突破性進展
            
	
            中國粉體網訊 碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領域具有重要的應用。與目前應用廣泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移[更多]
            
            
            
              資訊
碳化硅晶體立方碳化硅第三代半導體晶體生長碳化硅半導體
            
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            中國粉體網
            
          
      
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