中國粉體網(wǎng)訊 中科院上海硅酸鹽研究所研究員李國榮團隊通過晶粒及晶界缺陷設(shè)計的方法,成功消除了ZnO晶界處的肖特基勢壘,制備出高導(dǎo)電的ZnO陶瓷,其室溫下的電導(dǎo)率高達1.9×105 Sm-1;同時缺陷設(shè)計也降低了材料的晶格熱導(dǎo)[更多]
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