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        單晶襯底
        
    
        
    
        

        

        推薦天岳先進：公司已具備8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)能力
        
	
        中國粉體網(wǎng)訊 近年來，隨著5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長，硅基半導體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時限制體積、發(fā)熱和成本的快速膨脹成為了半導體產(chǎn)業(yè)內重點關注的問題。碳化硅作為一種寬禁帶[更多]
        
            
        
              資訊
碳化硅單晶襯底8英寸天岳先進液相法
        
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        中國粉體網(wǎng)
        
          
      
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