中國粉體網(wǎng)訊 多晶氧化物陶瓷材料由于晶粒和晶界表現(xiàn)出的半導體特性,豐富了其在功能陶瓷材料領(lǐng)域應用的多樣性。然而,如何通過缺陷工程來調(diào)控晶粒能帶結(jié)構(gòu)和晶界勢壘,對于實現(xiàn)高性能電子器件至關(guān)重要。近日,中國科學院新疆理化技術(shù)研究所[更多]
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