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主要應(yīng)用：

-適用于半導(dǎo)體用薄膜（Al2O3， HfO2， ZrO2， TiO2， ZnO ……）

-CIGS太陽能電池?zé)o鎘緩沖層沉積

-晶硅太陽能電池表面鈍化層沉積

-硅基WVTR(水蒸氣透過率)的阻擋層

-Micro-OLED封裝層

-柔性襯底用阻擋層

-OLED封裝層

-柔性O(shè)LED顯示器、柔性O(shè)LED照明、量子點、鈣鈦礦LED、柔性太陽能電池等高水分阻隔膜的卷對卷（R2R)ALD工藝：

-可用于 LTPO TFT IGZO薄膜沉積

特點：

1.ALD高k介質(zhì)，厚度均勻性好，保形步進(jìn)覆蓋。

2.先進(jìn)的工藝套件和小體積的短周期室

3.實現(xiàn)了ALD機構(gòu)(行波法)

4.小腳印全集成工藝模塊

5.過程控制方便，供氣線路長度小。