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            等離子開封設(shè)備
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            PlasmaEtch 等離子開封設(shè)備

            等離子開封設(shè)備PlasmaEtch是一個革命性的氣體為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)。采用以前從未見過的應(yīng)用微波氣體煽動化學(xué)基團為各向同性腐蝕。PlasmaEtch腐蝕大部分樣本大小,封裝類型和引線鍵合的類型。無論它是一個傳統(tǒng)的金絲樣品或者該樣品設(shè)有銅或銀導(dǎo)線,PlasmaEtch都提供了安全可靠的蝕刻。

            等離子開封設(shè)備是為快速蝕刻模具化合物,聚酰亞胺芯片特別研發(fā)的,無需攻擊敏感的接線便可將芯片開封。

            優(yōu)點:

            1)對銅線、數(shù)化銅線及

            2) 銀線線無傷害

            3) 傷害小 (selectivity > 500:1)

            4)快速等向性蝕刻

            5) 無離子、無輻射

            6) 加力聚焦下游等離子體刻蝕

            7) 質(zhì)量流量控制的所有氣體

            8) 低溫蝕刻

            9) 各向同性蝕刻

            主要特點:

            1)可定制的蝕刻配方

            2)蝕刻封裝類型多種多樣

            3)優(yōu)化開封微芯片

            4)開封處理程序快速

            5) 高刻蝕率及低成本

            6) 完全Chemical-free 開蓋,符合環(huán)保要求

            7) 針對銀線的**解決辦法

            8) 移除率約200 μm/小時

            (包括無機填充材料移除)

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