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在高精度薄膜分析的膜厚測量儀基礎上，增加安裝了自動角度調節(jié)裝置，實現(xiàn)高速的薄膜測量和高精度的化學常數(shù)解析。可拆卸緩速器和旋轉分析儀也拓寬了測量的選擇范圍，提高了測量精度。FE-5OOOS 雖然和FE-5000有相同的基本功能，但是價格低，體積小。膜厚測量儀的用途也得到擴大。

— 可對應各種選配，膜厚的特制解析

測量項目:

-測量橢圓參數(shù)（TANψ，COSΔ）

-光學常數(shù)（n：折射率，k：消光系數(shù)）分析

-薄膜厚度分析

應用范圍:

半導體晶圓

柵氧化膜，氮化膜

SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，poly-Si，ZnSe，BPSG，TiN

光學常數(shù)（波長色散）

復合半導體

AlxGa（1-x）多層膜、非晶硅

FPD

取向膜

等離子顯示器用ITO、MgO等

各種新材料

DLC（類金剛石碳）、超導薄膜、磁頭薄膜

光學薄膜

TiO2，SiO2多層膜、防反射膜、反射膜

光刻領域

g線（436nm）、h線（405nm）、i線（365nm）和KrF（248nm）等波長的n、k評估

原理

包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上，對于反射光的橢圓偏振光進行測量。s波和p波的位相和振幅獨立變化，可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù)，即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。

測量示例：

1）考慮到表面粗糙度測量膜厚度值[FE-0008]

當樣品表面存在粗糙度（Roughness）時，將表面粗糙度和空氣（air）及膜厚材料以1：1的比例混合，模擬為“粗糙層”，可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測量表面粗糙度為幾nm的SiN（氮化硅）的情況。

測量示例：

1）考慮到表面粗糙度測量膜厚度值[FE-0008]

當樣品表面存在粗糙度（Roughness）時，將表面粗糙度和空氣（air）及膜厚材料以1：1的比例混合，模擬為“粗糙層”，可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測量表面粗糙度為幾nm的SiN（氮化硅）的情況。

2）使用非干涉層模型測量封裝的有機EL材料[FE-0011]

有機EL材料易受氧氣和水分的影響，并且在正常大氣條件下它們可能會發(fā)生變質和損壞。因此，在成膜后立即用玻璃密封。以下介紹在密封狀態(tài)下通過玻璃測量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。

產(chǎn)品特點:

-可分析納米級多層薄膜的厚度

-可在紫外和可見（250至800nm）波長范圍內(nèi)進行橢偏測量

-可通過超過400ch的多通道光譜快速測量Ellipso光譜

-通過可變反射角測量，可詳細分析薄膜

-通過創(chuàng)建光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫和追加菜單注冊功能，增強操作便利性

-通過層膜貼合分析的光學常數(shù)測量可控制膜厚度/膜質量

*1可以驅動偏振器，可以分離不感帶有效的位相板。*2取決于短軸•角度。*3對應微小點（可選）*4它是使用VLSI標準SiO2膜（100nm）時的值。*5可以在此波長范圍內(nèi)進行選擇。*6光源因測量波長而異。*7選擇自動平臺時的值。