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| 1 | 應(yīng)用范圍: | 研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性、精密測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù) | |
| 2 | 規(guī)格: | ||
| 2-1 | Maximum sample size (Small board) - 15mm x15mm **樣品尺寸:15mm x15mm (可定制) | ||
| 2-2 | Measurement Temperature: 300K (room temperature)， optional 77K. 測(cè)試溫度: 室溫、可選配液氮低溫77K | ||
| 2-3 | Measurement Material: Semiconductors material such as Si， SiGe， SiC，GaAs， InGaAs， InP， GaN， ITO (N Type & P Type) 測(cè)試材質(zhì):半導(dǎo)體類材質(zhì)、如： Si， SiGe， SiC， ZnO， GaAs， InGaAs， InP， GaN， ITO等所有半導(dǎo)體薄膜(P型和N型) | ||
| 2-4 | Magnet Flux Density: 0.68 Tesla nominal ±1% of marked value 磁場(chǎng)強(qiáng)度: 0.68 Tesla ±1% | ||
| 2-5 | Magbnet Stability: ±2% over 1 years 穩(wěn)定性: ±2% （一年后） | ||
| 2-6 | Uniformity: ± 1% over 20mm diameter from center 均勻度：± 1%(20mm直徑圓范圍內(nèi)) | ||
| 2-7 | Pole Gap: 20 mm 磁極間隙：20毫米 | ||
| 2-8 | Input voltage range: 1μV to 300V 輸入電壓范圍：1μV ~300V | ||
| 2-9 | Hall voltage range: 10uV to 2000mV 霍爾電壓范圍: 10uV to 2000mV | ||
| 2-10 | Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107 電阻率 (Ω.㎝): 10-5 to 107 | ||
| 2-11 | Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107 遷移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 107 | ||
| 2-12 | Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021 載流子濃度(1/cm3): 107 ~ 1021 |
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