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            WEP CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度分析儀- ECV Profiler
            WEP CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度分析儀- ECV Profiler

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            產(chǎn)地

            德國

            樣本

            暫無
            上海載德半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

            會(huì)員

            |

            第2年

            |

            生產(chǎn)商

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            儀器簡(jiǎn)介:電化學(xué)ECV,摻雜濃度檢測(cè)(C-V Profiling)PN結(jié)深測(cè)試

            電化學(xué)ECV可以用于太陽能電池、LED等產(chǎn)業(yè),是化合物半導(dǎo)體材料研究或開發(fā)的主要工具之一。

            電化學(xué)ECV主要用于半導(dǎo)體材料的研究及開發(fā),其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來測(cè)量半導(dǎo)體材料的摻雜濃度分布。

            電化學(xué)ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導(dǎo)體光-電化學(xué)濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。

            本設(shè)備適用于評(píng)估和控制在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過程并且以被使用在多種不同的材料上, 例如:Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.

            CVP 21 的凈室和模塊化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得本系統(tǒng)可以高效率,準(zhǔn)確的測(cè)量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布.選用合適的電解液與材料接觸,腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動(dòng)控制

            CVP21的系統(tǒng)特點(diǎn)

            - 堅(jiān)固可靠的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu) .光學(xué),電子和化學(xué)部分相對(duì)獨(dú)立.

            - 精確的測(cè)量電路模塊;

            - 強(qiáng)力的控制軟件,系統(tǒng)操作,使用簡(jiǎn)便;

            - 完善的售后服務(wù);

            提供免費(fèi)樣品測(cè)試并提供測(cè)試報(bào)告。

            保修期:2年,終身維修。

            對(duì)用戶承諾終身免費(fèi)樣品測(cè)試每月1次。

            技術(shù)參數(shù):

            產(chǎn)品**結(jié)合我們?cè)陔娀瘜W(xué)方分布測(cè)試方面超過30年的經(jīng)驗(yàn)和世界上***的電路系統(tǒng)?!?

            全自動(dòng), 特別適用于新材料, 如氮化鎵, 碳化硅材料等。 

            有效檢測(cè):

            - 外延材料

            - 擴(kuò)散

            - 離子注入

            適用材料: CVP21應(yīng)用范圍寬,可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。

            - IV族化合物半導(dǎo)體如:硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…

            - III-V族化合物半導(dǎo)體如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…

            - 三元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…

            - 四元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…

            - 氮化物如:氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…

            - II-VI族化合物半導(dǎo)體如:氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…

            - 其他不常見半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測(cè)量)。

            載流子濃度測(cè)量范圍:

            - ** 1021/cm3

            - *小 1011/cm3

            深度解析度:

            - **無上限

            - *小可至1 nm(或更低)

            模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu):

            - 拓?fù)湫徒Y(jié)構(gòu)

            - 實(shí)時(shí)監(jiān)控腐蝕過程

            - 適于微小樣品及大尺寸的晶圓

            全自動(dòng)化系統(tǒng):

            主要特點(diǎn):

            CVP21電化學(xué)ECV是半導(dǎo)體載流子濃度分布**的解決方案:

            1, CVP21應(yīng)用范圍寬,可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。

            * IV族化合物半導(dǎo)體如:硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…

            * III-V族化合物半導(dǎo)體如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…

            * 三元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…

            * 四元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…

            * 氮化物如:氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…

            * II-VI族化合物半導(dǎo)體如:氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…

            * 其他不常見半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測(cè)量)。

            2, CVP21可用于不同形態(tài)的樣品:多層結(jié)構(gòu)的薄膜材料、基底沒有限制(基底導(dǎo)電或絕緣均可)、標(biāo)準(zhǔn)樣品尺寸從4*2mm ~ 8英寸晶圓(更小尺寸樣品請(qǐng)預(yù)先咨詢我們)。

            3, CVP21擁有很好的分辨率范圍。

            * 載流子濃度分辨率范圍從< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3

            * 深度分辨率范圍從1nm ~ 100um (依樣品類型、樣品質(zhì)量決定)

            4, CVP21是一套完整的電化學(xué)ECV測(cè)量系統(tǒng)。

            * 系統(tǒng)可靠性高(儀器的電子、機(jī)械、光學(xué)、液體傳動(dòng)幾個(gè)主要部分均經(jīng)特殊設(shè)計(jì))

            * 免校準(zhǔn)的系統(tǒng)(完全自校準(zhǔn)的電子系統(tǒng),電纜電容均無須用戶再次校準(zhǔn))

            * 易于使用(全用戶管理軟件優(yōu)化,在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境或生產(chǎn)環(huán)境均易于使用)

            * 照相機(jī)鏡頭控制(過程在線由彩色照相機(jī)鏡頭控制;每次測(cè)量后,鏡頭數(shù)據(jù)均可取出。)

            * 實(shí)驗(yàn)菜單(測(cè)量菜單預(yù)定義,優(yōu)先權(quán)用戶可以很容易修改或改進(jìn)測(cè)量菜單)

            * Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (電化學(xué)樣品池自動(dòng)裝載/卸載/再裝載,優(yōu)先權(quán)用戶易于修改,進(jìn)行樣品dry-in/dry-out處理。)

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            產(chǎn)品質(zhì)量

            10分

            售后服務(wù)

            10分

            易用性

            10分

            性價(jià)比

            10分
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