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        WEP CVP21電化學C-V剖面濃度分析儀- ECV Profiler
        WEP CVP21電化學C-V剖面濃度分析儀- ECV Profiler

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        產(chǎn)地

        德國

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        上海載德半導體技術有限公司

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        儀器簡介:電化學ECV,摻雜濃度檢測(C-V Profiling)PN結深測試

        電化學ECV可以用于太陽能電池、LED等產(chǎn)業(yè),是化合物半導體材料研究或開發(fā)的主要工具之一。

        電化學ECV主要用于半導體材料的研究及開發(fā),其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體材料的摻雜濃度分布。

        電化學ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導體光-電化學濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。

        本設備適用于評估和控制在半導體生產(chǎn)中的外延過程并且以被使用在多種不同的材料上, 例如:Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.

        CVP 21 的凈室和模塊化的系統(tǒng)設計結構使得本系統(tǒng)可以高效率,準確的測量半導體材料(結構,層)中的摻雜濃度分布.選用合適的電解液與材料接觸,腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制

        CVP21的系統(tǒng)特點

        - 堅固可靠的模塊化系統(tǒng)結構 .光學,電子和化學部分相對獨立.

        - 精確的測量電路模塊;

        - 強力的控制軟件,系統(tǒng)操作,使用簡便;

        - 完善的售后服務;

        提供免費樣品測試并提供測試報告。

        保修期:2年,終身維修。

        對用戶承諾終身免費樣品測試每月1次。

        技術參數(shù):

        產(chǎn)品**結合我們在電化學方分布測試方面超過30年的經(jīng)驗和世界上***的電路系統(tǒng)?!?

        全自動, 特別適用于新材料, 如氮化鎵, 碳化硅材料等?!?

        有效檢測:

        - 外延材料

        - 擴散

        - 離子注入

        適用材料: CVP21應用范圍寬,可以用于絕大多數(shù)的半導體材料。

        - IV族化合物半導體如:硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…

        - III-V族化合物半導體如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…

        - 三元III-V族化合物半導體如:鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…

        - 四元III-V族化合物半導體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…

        - 氮化物如:氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…

        - II-VI族化合物半導體如:氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…

        - 其他不常見半導體材料(可以聯(lián)系我們進行樣品測量)。

        載流子濃度測量范圍:

        - ** 1021/cm3

        - *小 1011/cm3

        深度解析度:

        - **無上限

        - *小可至1 nm(或更低)

        模塊化系統(tǒng)結構:

        - 拓撲型結構

        - 實時監(jiān)控腐蝕過程

        - 適于微小樣品及大尺寸的晶圓

        全自動化系統(tǒng):

        主要特點:

        CVP21電化學ECV是半導體載流子濃度分布**的解決方案:

        1, CVP21應用范圍寬,可以用于絕大多數(shù)的半導體材料。

        * IV族化合物半導體如:硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…

        * III-V族化合物半導體如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…

        * 三元III-V族化合物半導體如:鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…

        * 四元III-V族化合物半導體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…

        * 氮化物如:氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…

        * II-VI族化合物半導體如:氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…

        * 其他不常見半導體材料(可以聯(lián)系我們進行樣品測量)。

        2, CVP21可用于不同形態(tài)的樣品:多層結構的薄膜材料、基底沒有限制(基底導電或絕緣均可)、標準樣品尺寸從4*2mm ~ 8英寸晶圓(更小尺寸樣品請預先咨詢我們)。

        3, CVP21擁有很好的分辨率范圍。

        * 載流子濃度分辨率范圍從< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3

        * 深度分辨率范圍從1nm ~ 100um (依樣品類型、樣品質量決定)

        4, CVP21是一套完整的電化學ECV測量系統(tǒng)。

        * 系統(tǒng)可靠性高(儀器的電子、機械、光學、液體傳動幾個主要部分均經(jīng)特殊設計)

        * 免校準的系統(tǒng)(完全自校準的電子系統(tǒng),電纜電容均無須用戶再次校準)

        * 易于使用(全用戶管理軟件優(yōu)化,在實驗室環(huán)境或生產(chǎn)環(huán)境均易于使用)

        * 照相機鏡頭控制(過程在線由彩色照相機鏡頭控制;每次測量后,鏡頭數(shù)據(jù)均可取出。)

        * 實驗菜單(測量菜單預定義,優(yōu)先權用戶可以很容易修改或改進測量菜單)

        * Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (電化學樣品池自動裝載/卸載/再裝載,優(yōu)先權用戶易于修改,進行樣品dry-in/dry-out處理。)

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        10分

        售后服務

        10分

        易用性

        10分

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