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正電子湮沒壽命譜儀：又名高分子材料分析儀

1930年Dirac從理論上預言了正電子的存在和1932年Anderson在觀察宇宙線中發(fā)現(xiàn)了正電子之后，揭開了研究物質(zhì)和反物質(zhì)相互作用的序幕。1951年Deutsch發(fā)現(xiàn)了正電子和電子構(gòu)成的束縛態(tài)—正電子素的存在更加深了對正電子物理的研究工作，同時，也開展了許多應(yīng)用研究工作，形成了一門獨立的課題正電子湮沒譜學。

隨著對正電子和正電子素及其與物質(zhì)相互作用特性的深入了解，使正電子湮沒技術(shù)在原子物理、分子物理、固態(tài)物理、表面物理、化學及生物學、醫(yī)學等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，并取得獨特的研究成果。它在諸如檢驗量子電動力學基本理論、研究弱相互作用、基本對稱性及天體物理等基礎(chǔ)科學中也發(fā)揮了重要作用。同時，隨著人們對正電子湮沒技術(shù)方法學上研究的深入進展，使這一門引人注目的新興課題得到更快的發(fā)展。

實驗用放射源²²Na，其衰變綱圖如右圖所示。該源發(fā)生 衰變放出一個正電子后幾乎同時（僅遲3 ps左右）還發(fā)射一個能量為1.28 MeV的 光子。因此，測量1.28 MeV的 光子與正電子湮沒后放出的 光子（0.511 MeV）之間的時間間隔，就可得到正電子壽命。對每個湮沒事件都可測得湮沒過程所需時間。對足夠多的湮沒事件（~10⁶個）進行統(tǒng)計，就可得到一個正電子湮沒壽命譜。

系統(tǒng)集成測試報告參數(shù)：

系統(tǒng)時間分辨率（用50μCi ⁶⁰Co源測量）：

保證值：≤ 200ps；

典型值：≤ 180ps