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OAI超過35年的歷史

按照您的具體規(guī)格設計和制造紫外線儀器和曝光系統(tǒng)在世界范圍內(nèi)亨有聲譽

無論復雜還是簡單，OAI都有*聰明的解決方案。

OAI 200型

光刻機 和

紫外曝光系統(tǒng)

OAI系統(tǒng)可以處理各種常規(guī)和不規(guī)則形狀的寬范圍的基材。

高效光源在各種光譜上提供均勻的紫外線照射。.

OAI 200型光刻機和紫外線曝光系統(tǒng)是一種經(jīng)濟高效的高性能工具，采用行業(yè)驗證的模塊化組件進行設計，使OAI成為MEMS，納米技術和半導體設備行業(yè)的**者。200型是臺式機型，需要*小的潔凈室空間。它為研發(fā)，試驗或小批量生產(chǎn)提供了經(jīng)濟的替代方案。利用創(chuàng)新的空氣軸承/真空卡盤校平系統(tǒng)，基板被快速和平緩地平整以用于平行光掩模對準和在接觸暴露期間在晶片上的均勻接觸。該系統(tǒng)具有微米分辨率和對準精度。對準模塊具有掩模插入件組和快速更換晶片卡盤，其允許使用各種襯底和掩模，而不需要對機器重新設定。對準模塊包含X，Y和θ軸（微米）。200型對準器可以廣泛地安裝進對準光學儀器，包括背面IR。 IR照明真空吸盤可以被配置用于整個或或部分晶片的對準。 OAI 200型可配置OAI納米壓印模塊，使其成為*低成本的NIL工具。 OAI還提供了一個模塊，設計用于使用液體光引物進行快速成型或生產(chǎn)微流體器件。 Model 200具有可靠的OAI光源，在近紫外或深紫外線下使用200至2000瓦功率的燈提供準直的紫外光。雙傳感器，光學反饋回路與恒定強度控制器相關聯(lián)，以提供在所需強度的±2％內(nèi)的曝光強度的控制?？梢院唵慰焖俚馗淖僓V波長。

型號200是一個高度靈活的， 經(jīng)濟的解決方 案，適合任何 入門級掩模對準和紫外線照射應用。

應用

MEMS

NIL

微流體

納米技術

II-VI和III-V器件制造

多級抗蝕劑處理

LCD和FED顯示器

MCM’S

薄膜器件

太陽能電池

SAW器件

選項

提供單或雙相機和屏幕

（雙相機/雙屏版本如照片所示）

可以安裝NIL的Nano Imprint模塊

可安裝微流體模塊

OAI 200型臺式光刻機和紫外線曝光系統(tǒng)

OAI 200型掩模對準器和UV曝光系統(tǒng)

特征

規(guī)格

體積小

基板平臺

X， Y Travel

Z Travel

Micrometer

Graduations

Rotation

± 10mm

真空吸盤

1，500 microns

.001"; .0001"

or .01mm; .001mm

± 3.5?

精密對準模塊

可互換的面罩架和基板卡盤

掩膜

大小

Up to 14" x 14"

好處

光源

光束尺寸

燈功率

Up to 12" square

200， 350， 500， 1，000， and

2，000 Watt NUV

I 需要*小的潔凈室空間

500， 1，000 and 2，000 Watt DUV

I 對易碎基材材料造成損壞降至*低

快門定時器

設施

定時器

0.1 to 99.0 sec. at 0.1

second increments

or 1 to 999 sec. at 1

second increments

I 精確對準至1微米

I 可輕松容納各種基材和面罩

電壓

110或220 / 400vac

（或根據(jù)其他國家

電源要求）

I IR透明晶片的背面掩模對準，精度高達3-5微米

真空

20 - 28” Hg.

I 高度準直，均勻的紫外線

空氣和氮氣

CDA at 60 PSI and

N2at 40 PSI

排氣

.35“至.5”水

I 快速更改UV光波長

I 曝光控制強度為±2％

尺寸

高度

寬度

深度

運輸重量

37” (200mm)， 45” (300mm)

31” (200mm) ， 60” (300mm)

25” (200mm)， 70” (300mm)

250 Lbs. (200mm)， 400lbs (300mm)

I 可以配置為NIL的Nano Imprint工具