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現(xiàn)象描述：

樣品在電鏡中長(zhǎng)時(shí)間成像，或進(jìn)行EDX成分分析過程中，可能會(huì)在測(cè)試區(qū)域形成“黑色方框”，這通常是由聚合物碳沉積引起。

成因分析：

當(dāng)高能電子撞擊樣品表面時(shí)，它們產(chǎn)生大量低能二次電子（SE）。SE由于其較低的速度而與環(huán)境污染物氣體分子具有高得多的相互作用面。它們分解有機(jī)污染，并在成像區(qū)域周圍造成“碳沉積”（碳?xì)浠衔锘驘N）。當(dāng)表面被薄層烴覆蓋時(shí)，二次電子產(chǎn)率將降低。

負(fù)面影響：

由于積碳影響，電子暴光區(qū)域?qū)⒈戎車奈雌毓鈪^(qū)域更暗，減少了電子顯微鏡圖像中的材料對(duì)比度。研究表明，導(dǎo)電性越好，二次電子產(chǎn)額越高的樣品，其發(fā)生碳沉積也越快。原因在于，對(duì)于這類觀察樣品，表面碰撞出SE越多，所以導(dǎo)致相互作用在表面生成的烴也越多越快。甚至隨碳積影響，表面會(huì)累積電荷導(dǎo)致無法清晰成像。更有甚者，碳?xì)浠衔镂廴緡?yán)重的時(shí)候，可能會(huì)導(dǎo)致電子光學(xué)成像部件及探測(cè)器等污染，使電子束及成像漂移。

RPS50 SEM掃描電鏡原位等離子清洗儀適用于SEM或FIB等電鏡腔體內(nèi)碳?xì)浠衔锏那逑醇皹悠贩e碳清洗。采用遠(yuǎn)程RF射頻離子源清洗，高效、低等離子體轟擊損傷。核心部件采用國(guó)際一流品牌，保證設(shè)備具有優(yōu)異的質(zhì)量與穩(wěn)定可靠性。

RF射頻離子源通入氧氣后產(chǎn)生的等離子體被電磁場(chǎng)束縛于離子源內(nèi)部， O活性自由基與SEM腔室內(nèi)碳?xì)浠衔锓磻?yīng)生成CO2，CO及H2O等被真空機(jī)組抽走，*終實(shí)現(xiàn)SEM腔室/樣品積碳清洗之目的，同時(shí)提高SEM成像分辨率及襯度，縮短電鏡抽真空時(shí)間。