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            原位薄膜應(yīng)力儀
            原位薄膜應(yīng)力儀

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            全球先進(jìn)的原位薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng),又名原位薄膜應(yīng)力計或原位薄膜應(yīng)力儀!MOS美國**技術(shù)(**號US 7,391,523 B1)!曾榮獲2008 Innovation of the Year Awardee!

            采用非接觸激光MOS技術(shù);不但可以準(zhǔn)確的對樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計分析,而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析;客戶可自行定義選擇使用任意一個或者一組激光點進(jìn)行測量;并且這種設(shè)計可以保證所有陣列的激光光點一直在同一頻率運動或掃描,從而有效的避免了外界振動對測試結(jié)果的影響;同時大大提高了測試的分辨率;適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析;

            該設(shè)備已經(jīng)廣泛被全球知名高等學(xué)府(如:Harvard University 2套,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University 2套,Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,西安交通大學(xué),中國計量科學(xué)院等)、半導(dǎo)體制和微電子造商(如IBM.,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Glass Corporation)等所采用;

            相關(guān)產(chǎn)品:

            薄膜應(yīng)力儀(薄膜應(yīng)力測量儀):為獨立測量系統(tǒng),同樣采用先進(jìn)的MOS技術(shù),詳細(xì)信息請與我們聯(lián)系。

            設(shè)備名稱:

            薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng),薄膜應(yīng)力測試儀,薄膜應(yīng)力計,薄膜應(yīng)力儀,F(xiàn)ilm Stress Tester, Film Stress Measurement System;

            主要特點: 1.自主**技術(shù):MOS 多光束傳感器技術(shù);

            2.單Port(樣品正上方)和雙Port(對稱窗口)系統(tǒng)設(shè)計;

            3.適合MOCVD, MBE, Sputter,PLD、蒸収系統(tǒng)等各種真空薄膜沉積系統(tǒng)以及熱處理設(shè)備等;

            4.薄膜應(yīng)力各向異性測試和分析功能;

            5.生長速率和薄膜厚度測量;(選件)

            6.光學(xué)常數(shù)n&k 測量;(選件)

            7.多基片測量功能;(選件)

            8.基片旋轉(zhuǎn)追蹤測量功能;(選件)

            9.實時光學(xué)反饋控制技術(shù),系統(tǒng)安裝時可設(shè)置多個測試點;

            10.專業(yè)設(shè)計免除了測量受真空系統(tǒng)振動影響;

            測試功能:

            1. 實時原位薄膜應(yīng)力測量

            2.實時原位薄膜曲率測量

            3.實時原位應(yīng)力*薄膜厚度曲線測量

            4.實時原位薄膜生長全過程應(yīng)力監(jiān)控等

            實時原位測量功能實例:曲率、曲率半徑、薄膜應(yīng)力、應(yīng)力—薄膜厚度曲線、多層薄膜應(yīng)力測量分析等;

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