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近年來, 有機半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的研究和開發(fā)取得了日新月異的進展,其中有機電致發(fā)光二極管、有機薄膜晶體管、有機太陽能電池、有機存儲器、有機傳感器、有機激光器等相關(guān)有機半導(dǎo)體材料與器件的研究取得了大量的研究成果。隨著有機半導(dǎo)體材料與器件研究和開發(fā)的深入, 研究人員越發(fā)清楚地認識到, 有機半導(dǎo)體中載流子的傳輸能力是影響有機半導(dǎo)體器件性能的一個至關(guān)重要的因素。衡量有機半導(dǎo)體材料載流子傳輸能力的主要參數(shù)是載流子遷移率u, 它直接反映了載流子在電場作用下的運動能力, 因此載流子遷移率的測量是有機半導(dǎo)體材料與器件研究中的重要內(nèi)容。
我公司推出有機太陽能電池OPV、鈣鈦礦太陽能電池、OLED器件和其他有機半導(dǎo)體器件載流子遷移率測量系統(tǒng),為廣大科研工作者和研發(fā)機構(gòu)提供了有力的測試工具。
主要應(yīng)用:
*無機半導(dǎo)體材料,有機半導(dǎo)體材料OLED等;
*有機太陽能電池OPV;
*鈣鈦礦太陽能電池Perovskite Solar Cell;
*無機太陽能電池(例如:單晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太陽能電池);
*染料敏化太陽能電池DSSC;
主要測量功能:
***功率點MMP,F(xiàn)F,Voc,Isc,遷移率,理想因子(空間電荷限制電流SCLC法)
*電子與空穴遷移率,載流子俘獲動力學(xué)過程(瞬態(tài)光電流法)
*電子與空穴的復(fù)合,載流子俘獲動力學(xué)過程(瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開路電壓法)
*俘獲動力學(xué)過程(雙脈沖瞬態(tài)光電流)
*載流子遷移率(暗注入瞬態(tài)法)
*串聯(lián)電阻,幾何電容,RC時間(電壓脈沖法)
*參雜密度,電容率,串聯(lián)電阻,載流子遷移率(暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法)
*載流子遷移率,載流子密度(光照線性增加載流子瞬態(tài)法)
*載流子復(fù)合過程,朗之萬函數(shù)復(fù)合前因子(時間延遲線性增加載流子瞬態(tài)法)
*不同工作點的載流子強度,載流子遷移率(注入線性增加載流子瞬態(tài)法)
*幾何電容,電容率(MIS線性增加載流子瞬態(tài)法)
*載流子遷移率,陷阱強弱度,等效電路(阻抗譜測試)
*遷移率,陷阱強弱度,電容,串聯(lián)電阻(電容VS頻率)
*內(nèi)建電壓,參雜濃度,注入勢壘,幾何電容(電容VS電壓)
*發(fā)射開關(guān)電壓(電流電壓照度特性)
*發(fā)光壽命,載流子遷移率(瞬態(tài)電致發(fā)光法)
測量技術(shù):
1)IV/IVL特性:IV和IVL曲線是針對OLED和OPV標準的量測手法,通過曲線可以得到樣品的電流電壓特性關(guān)系、電流電壓與光強的特性關(guān)系;
*對于太陽能電池可通過空間電荷限制電流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和遷移率等;
2)瞬態(tài)光電流響應(yīng)法(Transient Photocurrent ):研究器件內(nèi)電荷載流子俘獲動態(tài)過程和載流子遷移率等;
3)瞬態(tài)光電壓(Transient Photovoltage):研究器件內(nèi)部電荷載流子俘獲動態(tài)過程和復(fù)合過程;
4)雙脈沖瞬態(tài)光電流(Double Transient Photocurrent):分析電荷載流子俘獲動態(tài)過程;
5)暗注入瞬態(tài)法(Dark Injection):電荷載流子遷移率分析;
6)電壓脈沖法(Voltage Pulse):串聯(lián)電阻、幾何電容和RC效應(yīng)分析;
7)暗態(tài)線性增壓載流子瞬態(tài)法(Dark-CELIV):參雜濃度、相對介電常數(shù)、串聯(lián)電阻、電荷載流子遷移率測量;
8)光照線性增壓載流子瞬態(tài)法(Photo-CELIV):提取有機太陽能電池片內(nèi)載流子遷移率mobility ,以及載流子濃度分析等;
9)時間延遲線性增壓載流子瞬態(tài)法(Delaytime-CELIV):復(fù)合動態(tài)過程分析和郎之萬復(fù)合因子分析等;
10)注入線性增壓載流子瞬態(tài)法(Injection-CELIV):電荷載流子濃度和電荷載流子遷移率測量分析;
11)MIS-CELIV:幾何電容和相對介電常數(shù)分析;
12)阻抗譜測量(Impedance Spectroscopy):量測器件內(nèi)電荷載流子遷移率和載流子俘獲動態(tài)過程等;
13)電容頻率測量法(C-f): 遷移率、陷阱、幾何電容和串聯(lián)電阻測量;
14)電容電壓測量法(C-V):內(nèi)建電壓、參雜濃度和幾何電容等測量;
暫無數(shù)據(jù)!