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隨著“超越摩爾定律”技術(shù)的普及，封裝和組裝相關(guān)缺陷變得越來(lái)越難以識(shí)別?；ミB更加精細(xì)、更加復(fù)雜；芯片和封裝被堆疊并平鋪為復(fù)雜結(jié)構(gòu)。焊點(diǎn)間距更小，而基板則采用更高的圖案密度和嵌入式組件。缺陷在不斷增加，缺陷檢測(cè)則變得更加困難。
通過(guò)使用具有**靈敏度的高分辨率鎖相熱成像 (LIT)，ThermoScientific™ ELITE™系統(tǒng)為各種缺陷類(lèi)型的通孔封裝缺陷、片上缺陷甚至板載電氣缺陷的定位提供了一套重要解決方案，這些缺陷包括電源或線(xiàn)路短路、ESD 缺陷、電流泄漏、氧化傷害、缺陷晶體管和二極管、器件閂鎖以及電阻性開(kāi)路。
ELITE 是**款可為二維和三維器件提供動(dòng)態(tài)無(wú)損實(shí)時(shí) LIT 的完全集成系統(tǒng)。作為市場(chǎng)***，ELITE 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)采用專(zhuān)有的高靈敏度 InSb 攝像頭、定制光學(xué)器件和高級(jí)算法，具有出眾的性能，并可以在*短時(shí)間內(nèi)獲得結(jié)果，通過(guò)為失效分析工程師提供根本原因分析所需的關(guān)鍵信息，有效縮短分析學(xué)習(xí)的周期。
另外，由于具有所有無(wú)損技術(shù)中**的熱靈敏度，ELITE 系統(tǒng)能夠檢測(cè)**挑戰(zhàn)性的缺陷，無(wú)需開(kāi)封檢查或從封裝中取出芯片，甚至無(wú)需對(duì) IC 器件進(jìn)行剝層，因而消除了使用有損方法時(shí)意外遺漏故障的風(fēng)險(xiǎn)。
此外，ELITE 系統(tǒng)可與其他無(wú)損技術(shù)（例如掃描聲學(xué)顯微鏡 (SAM) 或二維和三維 X 射線(xiàn)技術(shù)）相結(jié)合，通過(guò)傳遞故障位置的精確 x、 y 和 z 坐標(biāo)，加快獲得結(jié)果的速度并提高成功率，從而在需要深度信息或存在微小特征時(shí)顯著縮小 X 射線(xiàn)和 SAM 的搜索半徑并縮短檢查時(shí)間。ELITE 系統(tǒng)還提供配備固體浸沒(méi)透鏡 (SIL) 和 S-LSM 選項(xiàng)的高分辨率光學(xué)器件，可實(shí)現(xiàn)**水平的分辨率和圖像質(zhì)量。
主要優(yōu)勢(shì)：
完全無(wú)損，無(wú)需開(kāi)封檢查，無(wú)需逆向處理，沒(méi)有遺漏或損害缺陷證據(jù)的風(fēng)險(xiǎn)
快速識(shí)別 精確定位集成電路板上的缺陷元件
定位缺陷在x-y方向有微米精度，深度定位精度20 μm
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