S系列數(shù)字源表測半導體霍爾效應

霍爾效應是一種電磁感應現(xiàn)象，當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發(fā)生偏轉，垂直于電流和磁場的方向會產生一附加電場，如圖7所示?；魻栃獪y試中我們一般測試霍爾電壓V_H、電阻率ρ、霍爾系數(shù)R_H、載流子濃度n、霍爾遷移率μ_H等參數(shù)。

 霍爾效應

霍爾電壓

首先我們測試霍爾電壓V_H，按下圖連接方式連接電路，施加一個垂直樣品平面的磁場B，然后點擊設置——輸出設置，將源表調為4線前面板輸出模式，再返回主界面點擊測量，將源表設置為電流源模式，設置源限值，點擊“OUTPUT”，向1至3方向輸入電流，測試2、4間電壓。

圖8 霍爾電壓測試電路

注意：在2線模式下搭建和拆除電路，禁止在4線模式下插拔。

測試中會受到不等電勢位、愛廷豪森效應、倫斯脫效應等因素的影響，為了保證測試結果的準確度，測試中采取對稱測量法。首先我們規(guī)定磁場由下向上為正，電流由1向3為正。具體操作如下：

①、提供正向磁場（+B），正向電流（+I）；測得電壓V₁；

②、提供正向磁場（+B），反向電流（-I）；測得電壓V₂；

③、提供反向磁場（-B），反向電流（-I）；測得電壓V₃；

④、提供反向磁場（-B），正向電流（+I）；測得電壓V₄；

霍爾電壓為：

電阻率

測試電阻率我們使用范德堡技術，給相鄰的兩點提供電流，測試對立邊的兩點的電壓，此時不需要提供磁場，具體的操作如下圖9所示。

圖9 范德堡技術測試方法

測試完成后利用測試所得的數(shù)據(jù)先計算出電阻率，計算出兩個電阻率的值ρ_A、ρ_B:

t_S是以厘米為單位的樣品的厚度；

V₁-V₈代表電壓測量出的電壓；測得的電壓應該小于5V，一般為mV；

I是以安培為單位流過樣品的電流；

f_A、f_B是基于樣品對稱性的幾何因數(shù)，如果樣品**對稱則f_A=f_B=1，我們測試中一般選擇正方形的樣品，正方形是**對稱的。

如果ρ_A、ρ_B相差大于10%，則測試的樣品不夠均勻，那使用范德堡技術就不能準確的確定電阻率，要放棄該方法測試。

其他參數(shù)

霍爾系數(shù)R_H：

載流子濃度n：

霍爾遷移率μ_H:

V_H為3.1中測試的電壓、t_S為樣品的厚度、B為3.1測試中提供的磁場，I為3.1中提供的電流，ρ為3.2中測試所得的電阻率。通過上面的計算公式，我們可以將霍爾系數(shù)R_H、載流子濃度n、霍爾遷移率μ_H都計算出來。

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