參考價(jià)格
60-70萬(wàn)元型號(hào)
PMST品牌
普賽斯儀表產(chǎn)地
武漢樣本
暫無(wú)誤差率:
0.1%分辨率:
100pA重現(xiàn)性:
無(wú)儀器原理:
圖像分析分散方式:
數(shù)字測(cè)量時(shí)間:
s測(cè)量范圍:
3500V看了半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)的用戶又看了
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半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容 、反向傳輸電容等。
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置有多種測(cè)量單元模塊,模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法 靈活,方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。
系統(tǒng)組成
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),主要由測(cè)試儀表、上位機(jī)軟件、電腦、矩陣開(kāi) 關(guān)、夾具、高壓及大電流信號(hào)線等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開(kāi)發(fā)的靜態(tài)測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種電壓、電流等級(jí)的測(cè)量單元。結(jié)合自主開(kāi)發(fā)的上位機(jī)軟件控制測(cè)試主機(jī),可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,選擇不同的電壓、電流等級(jí),以滿足不同測(cè)試需求。
系統(tǒng)主機(jī)的測(cè)量單元,主要包括普賽斯P300高精度臺(tái)式脈沖源表、HCPL系列高電流脈沖電 源、E系列高壓源測(cè)單元、C-V測(cè)量單元等。其中P300高精度臺(tái)式脈沖源表用于柵極驅(qū)動(dòng)與測(cè)試使用,**支持30V@10A脈沖輸出與測(cè)試;HCPL系列高電流脈沖電源用于集電極、發(fā)射極之間電流測(cè)試及續(xù)流二極管的測(cè)試,15us的超快電流上升沿,自帶電壓采樣,單設(shè)備支持Z大1000A脈沖電流輸出;E系列高壓源測(cè)單元用于集電極、發(fā)射極之間電壓,漏電流測(cè)試,Z高支持3500V電壓輸出,并且自帶電流測(cè)量功能。系統(tǒng)的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì), 精度為0.1%。
產(chǎn)品特點(diǎn)
高電壓:支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試(Z大擴(kuò)展至10kV);
大電流:支持高達(dá)4KA大電流測(cè)試(多模塊并聯(lián));
高精度:支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、nA級(jí)漏電流測(cè)試;
豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù);
配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能;
數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;
模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);
可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;
可定制開(kāi)發(fā):可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā);
技術(shù)指標(biāo)
功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)主要由多臺(tái)源表、電橋、矩陣開(kāi)關(guān)、PC、上位機(jī)控制軟件、夾具盒等組成。針對(duì)不同的測(cè)試需求,用戶可以選擇不同源表、夾具等
PMST系統(tǒng)配置 | 關(guān)鍵參數(shù) | 備注 |
P系列 | PW高達(dá)30V/10A、300V/1A | 柵極特性測(cè)試 |
CW高達(dá)300V/0.1A、30V/1A | ||
*小脈沖寬度200uS | ||
HCP系列 | PW高達(dá)30V/100A | IGBT導(dǎo)通壓降、二極管瞬時(shí)前向電壓測(cè)試 |
CW高達(dá)10V/30A | ||
*小分辨率30uV/10pA | ||
*小脈沖寬度80uS | ||
HCPL系列 | 單臺(tái)PW高達(dá)12V/1000A,可多臺(tái)并聯(lián) | |
*小脈沖寬度50uS | ||
E系列 | CW高達(dá)3500V/100mA | IGBT擊穿電壓測(cè)試 |
*小分辨率10mV/100pA | ||
測(cè)量精度0.1% | ||
電橋 | 頻率范圍:20Hz~1MHz | IGBT各級(jí)間電容測(cè)試 |
HVP系列提供0~400V直流偏置電壓 | ||
預(yù)置偏置電阻100kΩ | ||
矩陣開(kāi)關(guān) | / | 電路切換及源表切換 |
主機(jī) | / |
|
測(cè)試夾具 | 根據(jù)器件封裝形式定制 |
|
系統(tǒng)具體配置由用戶自行選擇,以車規(guī)IGBT為例,一般配置如下:
設(shè)備名稱 | 數(shù)量 | 功能 |
P300脈沖源表 | 1臺(tái) | 測(cè)試柵極(基極)特性; |
E100高電壓源測(cè)單元 | 1臺(tái) | 測(cè)試集電極發(fā)射極(漏極源極)耐壓及漏電流; |
HCPL100高電流脈沖電源 | 1臺(tái) | 測(cè)試功率管導(dǎo)通電阻及續(xù)流二極管前向壓降; |
電橋 | 1臺(tái) | 客戶指定或我司推薦,測(cè)試各極間電容; |
PC機(jī) | 1臺(tái) | 運(yùn)行我司上位機(jī)軟件程序; |
矩陣開(kāi)關(guān) | 1臺(tái) | 按照國(guó)際要求進(jìn)行電路切換及源表切換; |
夾具 | 至少1個(gè) | 針對(duì)不同的封裝形狀需要使用不同的測(cè)試夾具; |
半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用
功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;
普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室,新能源,光伏,風(fēng)電,軌交,變頻器等場(chǎng)景。
數(shù)字源表測(cè)試氣體傳感器方案利用數(shù)字源表源(SMU)設(shè)備進(jìn)行氣體傳感器電性能測(cè)試 I-V測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件(DUT)施加電壓或電流,然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)。根據(jù)待測(cè)器件(DUT)的不同,信號(hào)電平可能相
2022-11-04