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高低溫真空探針臺 | ||||
型號 | SCG-O-2 | SCG-O-4 | SCG--C-2 | |
外形 | 900*900*530mm | 1100*1100*530mm | 1100*1100*1030mm | |
重量 | 約170KG | 約190KG | 約290KG | |
電力需求 | AC220V,50~60HZ | |||
樣品臺 | 尺寸 | 2英寸 | 4英寸 | 2英寸 |
樣品固定方式 | 真空導熱硅脂/彈簧壓片 | |||
樣品臺移動 | 固定的樣品臺 | |||
真空度 | 10^-10torr**真空 | |||
光學特性 | 顯微鏡行程 | 2*2英寸 | 4*4英寸 | 2*2英寸 |
放大倍數(shù) | 變焦:7:1分辨率4μm (放大倍數(shù)216X)或者選用金像顯微鏡(20X~1000X) | |||
真空腔觀察窗尺寸 | 2inch | 4inch | 2inch | |
CCD像素 | 50W(模擬)/200W(數(shù)字)/500W(數(shù)字) | |||
溫控規(guī)格 | 制冷方式 | 液氮/液氦 | 制冷壓縮機 | |
控制方式 | 開循環(huán)手動/自動冷媒流量控制 | 閉循環(huán)自動控制 | ||
控溫范圍 | 77K~450K/4.2K~450K | 4.2K~450K | ||
控溫分辨率 | 0.001K | |||
溫度穩(wěn)定性 | 4.2K ±0.2K 77K ±0.1K | |||
373K ±0.08K 473K ±0.1K | ||||
823K ±0.2K(可選) 973K ±1.0K(可選) | ||||
常溫到8K冷卻時間 | 90min | 150min | ||
8K到常溫升溫時間 | 90min | 90min | ||
常溫開始的升溫時間 | 100℃ 150℃ 200℃ | |||
30min 50min 80min | ||||
加熱電源 | LVDC 低壓直流 | |||
傳感器 | 硅二極管 | |||
傳感器數(shù)量 | 樣品臺,防輻射屏,探針臂各一個 | |||
功率 | 50W/100W/500W/1000W | |||
點針規(guī)格 | 探針數(shù)量 | 2個/4個/6個 | ||
探針調節(jié) | 真空波紋管外部調節(jié),手動控制 | |||
點針精度 | 10微米/2微米/0.7微米 | |||
X-Y-Z行程 | 25mm-25mm-25mm | |||
漏電精度 | 10pA/100fA | |||
接口形式 | 三軸/SMA/K/光纖接口 | |||
可選附件 | 防震桌 | |||
多級壓縮制冷機 | ||||
機械泵/分子泵組/離子泵 | ||||
射頻部件 | ||||
Chuck運動裝置 | ||||
電磁鐵系統(tǒng)/超導磁鐵系統(tǒng) | ||||
1Mpa正壓系統(tǒng)升級 | ||||
超高溫升級選件 | ||||
超高真空升級選件 | ||||
客戶特殊定制 | ||||
應用方向 | 高低溫真空環(huán)境下的芯片測試,材料測試,霍爾測試,電磁輸運特性等 | |||
特點 | ||||
可進行真空環(huán)境下的高低溫測試(4.2K~450K) | 可升級加載磁場 | |||
防輻射屏設計,樣品溫度均勻性更好 | 支持光纖光譜特性測試 | |||
兼容高倍率金相顯微鏡,可微調移動 | 器件的高頻特性(支持**67GHz頻率) | |||
探針熱沉設計 | LD/LED/PD的光強/波長測試 | |||
自動流量控制 | 材料/器件的IV/CV特性測試 |
暫無數(shù)據(jù)!