基于準一維CdS納米結構的合成及應用

編號：NMJS03157

篇名：基于準一維CdS納米結構的合成及應用

作者：蔡家駿； 江鵬；

關鍵詞：硫化鎘； 納米結構； 器件合成；

機構： 合肥工業(yè)大學電子科學與應用物理學院；

摘要： 針對準一維硫化鎘(CdS)納米結構的合成及其器件作了相應介紹。硫化鎘(CdS)作為一種II-VI族半導體材料,室溫禁帶寬度為2.42 eV,合成方法多種多樣,可根據具體的需求和條件,通過對各種具體參數的調節(jié),合成出需要的CdS納米結構及高質量的準一維CdS納米結構制備出高性能器件。雖然準一維CdS納米結構的合成和器件制備還處在實驗階段,但其獨特的光電化學性能,已被廣泛應用于光化學電池和儲能器件。