BN納米帶幾何結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)第一性原理研究

編號：NMJS03150

篇名：BN納米帶幾何結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)第一性原理研究

作者：安博；

關(guān)鍵詞：BN納米帶； 幾何結(jié)構(gòu)； 電子性質(zhì)； 第一性原理；

機(jī)構(gòu)： 渭南師范學(xué)院物理與電子工程學(xué)院；

摘要： 采用第一性原理研究了不同帶寬下BN納米帶的幾何結(jié)構(gòu)與電子性質(zhì)。研究結(jié)果表明:隨著帶寬的增大,BN納米帶邊緣發(fā)生形變,鍵角增大,B-B鍵鍵長增大。當(dāng)帶寬約為1.7 nm時,B-B鍵發(fā)生斷裂。電子性質(zhì)研究表明:隨帶寬減小,最高占據(jù)軌道(HOMO)/最低非占據(jù)軌道(LUMO)能隙減小。對電子態(tài)密度(DOS)及贗能隙分析表明:BN納米帶帶寬越小,在費(fèi)米能級處DOS越大,且贗能隙越小。這和GNR比較相似,說明BN納米帶越窄電子越容易從價帶向?qū)�帶躍遷。