鎳間隙摻雜硅納米線電子結(jié)構(gòu)的研究

編號(hào)：NMJS03132

篇名：鎳間隙摻雜硅納米線電子結(jié)構(gòu)的研究

作者：梁偉華； 王秀麗； 丁學(xué)成； 褚立志； 鄧澤超； 郭建新； 傅廣生； 王英龍；

關(guān)鍵詞：硅納米線； 摻雜； 電子性質(zhì)； 第一性原理；

機(jī)構(gòu)： 河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院；

摘要： 采用基于密度泛函理論的第一性原理的方法,對(duì)[100]方向鎳間隙摻雜硅納米線結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和電子性質(zhì)進(jìn)行了計(jì)算。計(jì)算結(jié)果表明Ni原子更喜歡占據(jù)硅納米線內(nèi)部六角形間隙位置;摻雜體系費(fèi)米能級(jí)附近的電子態(tài)密度來(lái)源于Ni3d態(tài)電子的貢獻(xiàn);同時(shí)發(fā)現(xiàn)不同構(gòu)型的Ni摻雜硅納米線,其帶隙不同,且與未摻雜硅納米線相比,帶隙普遍減小。