納米折疊InGaN/GaN LED材料生長及器件特性

編號：NMJS03131

篇名：納米折疊InGaN/GaN LED材料生長及器件特性

作者：陳貴鋒； 譚小動； 萬尾甜； 沈俊； 郝秋艷； 唐成春； 朱建軍； 劉宗順； 趙德剛； 張書明；

關(guān)鍵詞：納米柱LED； 光致發(fā)光； 電致發(fā)光；

機構(gòu)： 河北工業(yè)大學材料學院河北省新型功能材料實驗室； 中國科學院理化技術(shù)研究所； 中國科學院半導體研究所集成光電子學國家重點實驗室；

摘要： 在以自組織Ni納米島為掩膜制作的n-GaN納米柱上,利用MOCVD方法外延生長了具有折疊InGaN/GaN多量子阱(MQW)的LED結(jié)構(gòu)外延片,進而制作了LED器件.外延片上中下游的光致熒光測試,結(jié)果表明外延片具有很好的均勻性.用該外延片制作的LED的電致發(fā)光譜,隨注入電流增加沒有明顯藍移,這表明納米結(jié)構(gòu)能更好地釋放應力,納米柱上外延生長的多量子阱,具有較低的壓電極化電場.正向工作電流20mA時,LED器件的工作電壓為4.6V.