碳化硅納米晶須的制備及熱穩(wěn)定性研究

編號：NMJS03027

篇名：碳化硅納米晶須的制備及熱穩(wěn)定性研究

作者：石強； 陳建軍； 劉羿君；

關鍵詞：碳化硅； 納米晶須； 形貌； 熱穩(wěn)定性；

機構(gòu)： 浙江理工大學先進紡織材料與制備技術教育部重點實驗室； 浙江理工大學材料工程中心；

摘要： 以石墨粉和硅粉為原料,在1 550℃下,采用碳熱還原法制得碳化硅納米晶須。X射線衍射(XRD)和場發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)表明,產(chǎn)物主要由3C-SiC納米晶須和顆粒組成,晶須直徑為100~150 nm,長度為5~15μm。在空氣氣氛中的熱重分析(TGA)實驗顯示,溫度高于400℃時,產(chǎn)物質(zhì)量逐漸增加,溫度至800℃時質(zhì)量增加了約1%,增重現(xiàn)象為SiC納米晶須的氧化所致。產(chǎn)物經(jīng)1 100℃氧化后的XRD表明,SiC被部分氧化生成了無定形二氧化硅�？諝鈿夥罩�,產(chǎn)物在700、9001、100℃的熱穩(wěn)定性實驗表明,在1 100℃時,SiC納米晶須形貌發(fā)生了較大變化,其表面出現(xiàn)熔融并粘連在一起。高溫下的氧化反應是導致晶須形貌變化的主要原因。